在此次测试中，美版三星 Galaxy S25+ 采用了 GeekBench 6.3.0 版本进行跑分，结果显示其单核成绩高达 3160 分，而多核成绩更是飙升至 9941 分，这一成绩不仅超越了前一次的测试记录，更是在同级别手机中树立了新的性能标杆。回顾之前，美版三星 Galaxy S25+ 也曾现身 GeekBench 跑分库，但当时所搭载的高通骁龙 8 至尊版芯片主频为 4.19GHz，其单核成绩为 3054 分，多核成绩则为 9224 分。对比之下，此次测试的机型在性能上有了显著提升，这无疑引发了业界和消费者对于新款芯片及手机整体性能优化的广泛讨论。

值得注意的是，最新现身的 Galaxy S25+ 手机所搭载的高通骁龙 8 至尊版 for Galaxy 芯片，其主频高达 4.47GHz，相较于标准版高通骁龙 8 至尊版（主频为 4.32GHz）有了进一步的提升。这一定制版芯片不仅主频更高，更可能针对三星手机的特性进行了专属优化，从而在性能释放和能效比方面达到了新的高度。

除了强大的处理器性能，跑分页面还揭示了该机型的其他配置亮点：美版三星 Galaxy S25+ 配备了高达 12 GB 的内存，这一配置足以满足用户对于多任务处理和大型游戏运行的苛刻需求。同时，该手机运行的是最新的安卓 15 系统，这一系统版本带来了诸多新特性和性能优化，进一步提升了用户的使用体验。

随着这一消息的发布，业界内外对于美版三星 Galaxy S25+ 的期待值再次攀升。众多科技媒体和消费者纷纷猜测，这款搭载高通骁龙 8 至尊版 for Galaxy 芯片、配备 12 GB 内存和安卓 15 系统的旗舰机型，将在未来的市场表现中展现出怎样的实力。